Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

Arten von diskreten Halbleitern
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Technologie
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Verpackung/Gehäuse

IXYS MOSFETs 96 Amps 150V 0.024 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 20 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 220Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 24 Amps 800V 0.4 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 26 Amps 1000V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 600V 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 600V 48A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 32 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 42 Amps 800V 0.15 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 138 Amps 300V 0.018 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4