MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 288 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 53 A (Tc = 25 °C). Die MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in TO-247AD-3L-, TO-247AD-4L- und TO-263-7L-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

Ergebnisse: 17
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800Auf Lager
CHF 9.85
CHF 7.12
CHF 5.93
CHF 5.45
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 24.03.2027
CHF 10.38
CHF 7.59
CHF 6.59
CHF 5.72
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 24.03.2027
CHF 10.29
CHF 7.52
CHF 6.53
CHF 5.66
CHF 5.56
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 14.04.2027
CHF 8.21
CHF 5.80
CHF 4.83
CHF 4.31
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
599erwartet ab 14.04.2027
CHF 8.90
CHF 5.70
CHF 4.95
CHF 4.46
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 14.04.2027
CHF 7.48
CHF 5.11
CHF 4.21
CHF 3.75
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
583erwartet ab 14.04.2027
CHF 8.16
CHF 5.10
CHF 4.40
CHF 3.93
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
CHF 8.65
CHF 4.80
CHF 4.44
CHF 3.87
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 14.04.2027
Cut-Tape
CHF 6.81
CHF 3.70
CHF 3.40
CHF 2.83
Reel
CHF 2.83
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
595erwartet ab 14.04.2027
CHF 12.77
CHF 7.38
CHF 6.86
CHF 6.44
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 18.01.2027
CHF 10.03
CHF 7.47
CHF 6.22
CHF 5.55
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 18.01.2027
CHF 10.72
CHF 7.87
CHF 6.87
CHF 5.94
CHF 5.84
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 20.01.2027
Cut-Tape
CHF 9.23
CHF 5.16
CHF 4.97
CHF 4.22
Reel
CHF 4.22
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
585erwartet ab 18.01.2027
CHF 9.18
CHF 5.96
CHF 5.19
CHF 4.67
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 18.01.2027
Cut-Tape
CHF 8.46
CHF 4.69
CHF 4.44
CHF 3.77
Reel
CHF 3.77
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 20.01.2027
CHF 8.36
CHF 5.32
CHF 4.61
CHF 4.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
CHF 13.26
CHF 7.68
CHF 7.16
CHF 6.77
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement