TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TRSx65H Siliziumkarbid-(SIC-)Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Toshiba sind 650-V-Bauteile, die auf der Technologie der dritten Generation mit Schottky-Metall basieren. Diese Bauelemente optimieren die Sperrschicht-Schottky-Struktur (JBS) der Produkte der zweiten Generation, reduzieren das elektrische Feld an der Schottky-Schnittstelle sowie den Ableitstrom und liefern einen verbesserten Wirkungsgrad. Der TRSx65H erreicht eine 17 % niedrigere Durchlassspannung (1,2 V, typisch) und verbessert im Vergleich mit Bauteilen der zweiten Generation die Kompromisse zwischen der Durchlassspannung und der gesamten kapazitiven Ladung (17 nC, typisch). Mit einem verbesserten Durchlassspannungs- und Sperrstrom-Verhältnis wird ein typischer Isolationswiderstand von 1,1 µA erreicht. Andere Funktionen umfassen DC-Durchlassstrom von bis zu 12 A und nicht-periodische Rechteckwellen-Stoßströme von bis zu 640 A.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Datenblatt
1Auf Lager
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Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Datenblatt
1’933Auf Lager
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: 2’500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Datenblatt
3’858Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Datenblatt
6’936Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Datenblatt
4’849Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Datenblatt
2’245Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
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98Auf Lager
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Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
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224Auf Lager
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Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
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127Auf Lager
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Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Datenblatt
21Auf Lager
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Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
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150erwartet ab 29.07.2026
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Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
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172Auf Bestellung
Min.: 1
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Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube