TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TRSx65H Siliziumkarbid-(SIC-)Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Toshiba sind 650-V-Bauteile, die auf der Technologie der dritten Generation mit Schottky-Metall basieren. Diese Bauelemente optimieren die Sperrschicht-Schottky-Struktur (JBS) der Produkte der zweiten Generation, reduzieren das elektrische Feld an der Schottky-Schnittstelle sowie den Ableitstrom und liefern einen verbesserten Wirkungsgrad. Der TRSx65H erreicht eine 17 % niedrigere Durchlassspannung (1,2 V, typisch) und verbessert im Vergleich mit Bauteilen der zweiten Generation die Kompromisse zwischen der Durchlassspannung und der gesamten kapazitiven Ladung (17 nC, typisch). Mit einem verbesserten Durchlassspannungs- und Sperrstrom-Verhältnis wird ein typischer Isolationswiderstand von 1,1 µA erreicht. Andere Funktionen umfassen DC-Durchlassstrom von bis zu 12 A und nicht-periodische Rechteckwellen-Stoßströme von bis zu 640 A.

Ergebnisse: 12
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Datenblatt
2’134Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.58
CHF 1.39
CHF 1.14
CHF 1.08
Reel
CHF 0.837
CHF 0.813
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Datenblatt
6’822Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.87
CHF 0.91
CHF 0.821
CHF 0.785
Reel
CHF 0.785
CHF 0.544
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Datenblatt
4’799Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.22
CHF 1.10
CHF 0.983
CHF 0.91
Reel
CHF 0.91
CHF 0.684
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Datenblatt
1’933Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.83
CHF 1.58
CHF 1.29
CHF 1.25
Reel
CHF 0.945
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Datenblatt
1Auf Lager
CHF 2.04
CHF 1.19
CHF 0.738
CHF 0.681
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Datenblatt
1’298Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.08
CHF 1.80
CHF 1.47
CHF 1.42
Reel
CHF 1.42
CHF 1.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Datenblatt
50Auf Lager
CHF 2.80
CHF 1.41
CHF 1.35
CHF 1.02
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Datenblatt
63Auf Lager
150erwartet ab 16.10.2026
CHF 3.07
CHF 1.86
CHF 1.54
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Datenblatt
208Auf Lager
CHF 1.87
CHF 0.91
CHF 0.901
CHF 0.779
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Datenblatt
127Auf Lager
CHF 2.22
CHF 1.09
CHF 1.08
CHF 0.983
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Datenblatt
21Auf Lager
CHF 2.67
CHF 1.32
CHF 1.18
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Datenblatt
172Auf Bestellung
CHF 1.78
CHF 0.91
CHF 0.648
CHF 0.59
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube