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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 957Auf Lager
2’160Auf Bestellung
CHF 17.83
CHF 13.32
CHF 11.51
CHF 10.90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 530Auf Lager
2’160Auf Bestellung
CHF 13.15
CHF 10.02
CHF 8.35
CHF 7.43
CHF 6.95
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 1’519Auf Lager
240Auf Bestellung
CHF 10.34
CHF 7.48
CHF 6.23
CHF 5.54
CHF 5.19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 374Auf Lager
480erwartet ab 14.12.2026
CHF 8.58
CHF 4.67
CHF 4.31
CHF 4.19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 53Auf Lager
3’360Auf Bestellung
CHF 23.79
CHF 19.05
CHF 16.47
CHF 15.59
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 22Auf Lager
1’440Auf Bestellung
CHF 10.64
CHF 5.90
CHF 5.53
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
2’710Auf Bestellung
CHF 15.82
CHF 12.06
CHF 10.04
CHF 8.94
CHF 8.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
2’860Auf Bestellung
CHF 7.66
CHF 5.23
CHF 4.31
CHF 3.84
CHF 3.59
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC