iS20M6R3S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M6R3S1P
iS20M6R3S1P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH 200V 172A TO-220

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Datenblatt:
ECAD Model:
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iDEAL Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
172 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
Tube
Marke: iDEAL Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 47 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5.1 ns
Verpackung ab Werk: 20
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 48.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 22.4 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS20M6R3S1P power MOSFET offers low switching losses, switching charge (QSW), and capacitive stored energy (EOSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. Typical applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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Auf Bestellung:
1’000
erwartet ab 04.09.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
12
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Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 6.07 CHF 6.07
CHF 3.43 CHF 34.30
CHF 3.14 CHF 314.00
CHF 2.64 CHF 1’320.00
CHF 2.42 CHF 2’420.00
10’000 Kostenvoranschlag

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