UJ3C SiC-FETs

SiC-FETs von UnitedSiC/QorvoUJ3C sind Siliziumkarbid (SiC)-FETs, die auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration basieren und für den Einsatz in Weichschalt-Designs optimiert sind. Die UJ3C SiC-FETs eignen sich ideal für die Aufrüstung eines bestehenden Silizium-basierten Bauteils oder für den Einstieg in ein neues SiC-basiertes Design. Diese Bauteile integrieren einen SiC-JFET mit einem benutzerdefinierten Si-MOSFET, um die ideale Kombination aus Normal-Aus-Betrieb, Hochleistungs-Body-Diode und einer einfachen Gate-Ansteuerung des MOSFETs mit dem Wirkungsgrad, der Geschwindigkeit und der hohen Temperaturbeständigkeit des SiC-JFETs zu erreichen. Resultierend daraus können bestehende Systeme eine Leistungssteigerung mit niedrigeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz erwarten. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220
Datenblatt
335Auf Lager
1’000erwartet ab 13.11.2026
CHF 21.41
CHF 17.14
CHF 14.82
CHF 13.28
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
699Auf Lager
CHF 9.73
CHF 5.35
CHF 5.34
CHF 5.04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
513Auf Lager
CHF 21.54
CHF 13.37
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
382Auf Lager
CHF 29.51
CHF 21.94
CHF 20.82
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Datenblatt
590Auf Lager
CHF 16.61
CHF 10.59
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Datenblatt
1’300Auf Lager
CHF 16.93
CHF 10.31
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
27Auf Lager
4’000Auf Bestellung
CHF 8.90
CHF 6.21
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24
Datenblatt
371Auf Lager
CHF 17.04
CHF 10.40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Datenblatt
84Auf Lager
1’200erwartet ab 31.05.2027
CHF 11.19
CHF 8.54
CHF 7.10
CHF 6.34
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
160Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.23
CHF 6.68
CHF 5.56
CHF 4.96
Reel
CHF 4.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET