SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KRC15
SCT4018KRC15

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
81 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 22 S
Verpackung: Tube
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 21 ns
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SCT4018KR
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)

ROHM Semiconductor  SCT4018KR Der N-Kanal- Siliciumcarbid Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein robustes Bauelement das für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Nennspannung von 1.200 V und einem Dauersenkenstrom von 81 A (bei +25°C) bietet der ROHM SCT4018KR hervorragende Leistung in Hochspannungsumgebungen. Das Bauelement verfügt über einen niedrigen typischen Einschaltwiderstand von 18 mΩ und unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, die die Schaltverluste erheblich reduzieren und die Wirkungsgrad verbessern. Der SCT4018KR ist in einem TO-247-4L Paket untergebracht und eignet sich gut für den Einsatz in industriellen Stromversorgungen Umrichter und Motorantrieben. Der SCT4018KR MOSFET nutzt die Vorteile der SiC-Technologie und bietet überlegene Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbetrieb und verbesserte Zuverlässigkeit, was ihn ideal für kompakte, leistungsstarke Stromversorgungssysteme macht.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

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