DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule bieten eine Durchlassspannung von 1,35 V bei 100 A und eine Verlustleistung von 500 W. Die Bauteile werden in einem maximalen Temperaturbereich von -40 °C bis +150 °C betrieben. Die DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule von Infineon sind in einem Gehäuse von 45 mm x 107,5 mm x 20,5 mm (B x L x H) erhältlich.

Ergebnisse: 3
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
If - Durchlassstrom
Konfiguration
Vf - Durchlassspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies Diodenmodule LOW POWER ECONO
Datenblatt
15Auf Lager
30erwartet ab 17.12.2026
CHF 51.69
CHF 38.21
Min.: 1
Mult.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies Diodenmodule LOW POWER ECONO
Datenblatt
13Auf Lager
CHF 55.57
CHF 41.26
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Diodenmodule LOW POWER ECONO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
CHF 43.36
CHF 38.96
Min.: 15
Mult.: 15
Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray