Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) von Bourns kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/Hochstromanwendungen konzipiert. Die IGBTs des Modells BID verwenden eine fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, um eine bessere Steuerung der dynamischen Eigenschaften zu bieten, was zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und weniger Schaltverluste führt. Die IGBTs verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C und sind in TO-252-, TO-247- und TO-247N-Gehäusen verfügbar. Diese thermisch effizienten Bauelemente bieten einen geringeren thermischen Widerstand, wodurch sie sich für IGBT-Lösungen für Schaltnetzteile (SNT), unterbrechungsfreie Stromquellen (USV) und Blindleistungskompensations-Applikationen (PFC) eignen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Datenblatt
24’137Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.80
CHF 1.15
CHF 0.777
CHF 0.619
CHF 0.567
Reel
CHF 0.526
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
5’797Auf Lager
CHF 6.56
CHF 3.80
CHF 3.19
CHF 3.00
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2’780Auf Lager
CHF 4.69
CHF 2.66
CHF 2.24
CHF 2.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2’967Auf Lager
CHF 4.65
CHF 2.66
CHF 2.24
CHF 2.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2’773Auf Lager
CHF 6.07
CHF 3.80
CHF 3.19
CHF 3.00
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Datenblatt
14Auf Lager
3’600erwartet ab 22.10.2026
CHF 4.43
CHF 2.65
CHF 2.18
CHF 1.86
CHF 1.80
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Datenblatt
9Auf Lager
4’200erwartet ab 05.10.2026
CHF 5.44
CHF 3.25
CHF 2.71
CHF 2.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Datenblatt
137Auf Lager
CHF 4.55
CHF 2.77
CHF 2.22
CHF 1.65
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube