MOSFETs – Mouser Liechtenstein

Zum Hauptinhalt wechseln

Teil der TTI Family of SpecialistsKontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +49 (0)89 520 462 110Feedback

Standort ändern

+49 (0)89 520 462 110 Standort ändern

Auf Lager

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Toshiba DTMOSVI Hochspannungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rdson) und Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen. Diese DTMOSVI der neuesten Generation bietet den niedrigsten Gütefaktor RDS(ON)xQgd und ist im neuen TOLL-Gehäuse (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) mit einer Kelvin-Quellenverbindung zur Reduzierung von Einschalt- und Ausschaltverlusten untergebracht.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Ergebnisse: 6

Angewendete Filter:

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Verpackung

Alle zurücksetzen

Suche innerhalb der Ergebnisse

Auf Lager

Normalerweise auf Lager

Aktiv

Neue Produkte

RoHS-konform

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Auswählen	Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	RoHS	ECAD Model	Technologie	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Verpackung
	MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm TK055U60Z1,RQ Toshiba 1: CHF 5.62 5’960Auf Lager	Herst. Teilenr. TK055U60Z1,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK055U60Z1RQ	Toshiba	MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	5’960Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.62 CHF 3.02 Reel CHF 3.02 Kostenvoranschlag Kostenvoranschlag	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000			Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	40 A	55 mOhms	30 V	4 V	65 nC			270 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ TK090U65Z,RQ Toshiba 1: CHF 5.71 1’035Auf Lager	Herst. Teilenr. TK090U65Z,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK090U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	1’035Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.71 CHF 2.82 CHF 2.30 Reel CHF 2.30 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	70 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ TK110U65Z,RQ Toshiba 1: CHF 4.69 3’792Auf Lager	Herst. Teilenr. TK110U65Z,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK110U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	3’792Auf Lager	Cut-Tape CHF 4.69 CHF 2.37 CHF 1.99 CHF 1.92 Reel CHF 1.92 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	86 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ TK190U65Z,RQ Toshiba 1: CHF 3.38 1’964Auf Lager	Herst. Teilenr. TK190U65Z,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK190U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	1’964Auf Lager	Cut-Tape CHF 3.38 CHF 1.62 CHF 1.53 Reel CHF 1.24 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	149 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ TK065U65Z,RQ Toshiba 1: CHF 7.35 4’000erwartet ab 12.10.2026	Herst. Teilenr. TK065U65Z,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK065U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	4’000erwartet ab 12.10.2026	Cut-Tape CHF 7.35 CHF 4.48 CHF 3.88 CHF 3.52 CHF 3.12 Reel CHF 2.82 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	38 A	51 mOhms	30 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ TK155U65Z,RQ Toshiba 2’000: CHF 1.46 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen	Herst. Teilenr. TK155U65Z,RQ Mouser-Teilenr. 757-TK155U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Mehr erfahren über Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen	Reel CHF 1.46 CHF 1.41	Min.: 2’000 Mult.: 2’000 : 2’000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	122 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	Reel