1200 V 3-stufige IGBT-Module

Die 1200 V 3-stufigen-IGBT-Module von Infineon Technologies bieten elektrische Leistung und hohe Zuverlässigkeit ohne Einschränkung der Designflexibilität. Die IGBT-Module decken einen Bereich von wenigen hundert Watt bis zu mehreren Megawatt ab. Die 1200 V IGBT-Module sind für 3-stufige-Anwendungen konzipiert.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Datenblatt
214Auf Lager
144erwartet ab 20.11.2026
CHF 27.80
CHF 19.54
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 215 W EasyPack1B - 40 C + 150 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Datenblatt
9Auf Lager
CHF 30.35
CHF 21.78
Min.: 1
Mult.: 1
Quad 1.2 kV 1.45 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Datenblatt
8erwartet ab 03.12.2026
CHF 81.39
CHF 73.74
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 880 mV 255 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
CHF 135.76
CHF 131.87
Min.: 6
Mult.: 6
Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
CHF 45.54
CHF 33.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tray
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
CHF 57.50
Min.: 15
Mult.: 15
Si Tray