NTBG022N120M3S M3S-Baureihe 1.200-V-SiC-MOSFET
Der onsemi NTBG022N120M3S 1.200-V-SiC(Siliziumkarbid)-MOSFET der M3S-Baureihe ist für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert und bietet einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 22 mΩ. Die SiC-MOSFETs der M3S-Baureihe bieten eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Drive betrieben werden, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Dieses Bauteil verfügt über die Planar-Technologie, die zuverlässig mit einem negativem Gate-Spannungs-Drive und Ausschaltspitzen auf dem Gate funktioniert.
