GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs

Die GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs Transistoren von ROHM Semiconductor sind für leistungsstarke Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese Module zeichnen sich durch eine hohe Durchschlagspannung und eine geringe elektrische Ladung am GATE aus. Die GNP2x Baureihe bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und schnelle Umschaltfähigkeiten. Die GaN-HEMTs von ROHM verfügen über eine transiente Gate-Source-Spannung von 8,5 V und arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.  Typische Applikationen sind Wandler mit hoher Schaltfrequenz und hoher Dichte.