LMG342xR050 600-V-50-mΩ-GaN-FETs

Die 600-V-GaN-FETs mit 50 mΩ LMG342xR050 von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutz ermöglichen es Entwicklern, neue Niveaus an Leistungsdichte und Wirkungsgrad in Leistungselektroniksystemen zu erreichen. Der LMG342xR050 integriert einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 150 V/ns ermöglicht. Die integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung von TI führt im Vergleich zu diskreten Silizium-Gate-Treibern zu einem höheren Schalt-SOA. In Kombination mit dem Gehäuse mit niedriger Induktivität von TI bietet diese Integration ein sauberes Schalten und ein minimales Überschwingen in hartschaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsrate von 20 V/ns bis 150 V/ns, was zur aktiven Kontrolle der EMI und zur Optimierung der Schaltleistung genutzt werden kann.