1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
Datenblatt
945Auf Lager
CHF 23.68
CHF 15.99
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
Datenblatt
315Auf Lager
CHF 12.10
CHF 7.39
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Datenblatt
629Auf Lager
CHF 14.39
CHF 8.91
CHF 8.90
CHF 8.77
CHF 8.48
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN85N120C4H1
Datenblatt
404Auf Lager
210erwartet ab 31.03.2027
CHF 32.99
CHF 24.57
CHF 24.22
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
Datenblatt
288Auf Lager
CHF 10.51
CHF 6.34
CHF 5.64
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
Datenblatt
363Auf Lager
CHF 12.10
CHF 7.39
CHF 6.78
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
Datenblatt
315Auf Lager
CHF 16.28
CHF 10.19
CHF 9.93
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN110N120B4H1
Datenblatt
231Auf Lager
CHF 39.35
CHF 30.12
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN110N120C4H1
Datenblatt
94Auf Lager
CHF 39.32
CHF 29.68
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B