Ergebnisse: 40
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
274Auf Lager
CHF 13.96
CHF 8.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
2’247Auf Lager
CHF 5.55
CHF 2.96
CHF 2.81
CHF 2.50
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
248Auf Lager
CHF 12.87
CHF 7.55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
165Auf Lager
CHF 10.38
CHF 6.81
CHF 6.33
CHF 5.71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Datenblatt
211Auf Lager
90erwartet ab 15.12.2026
CHF 9.57
CHF 6.16
CHF 5.67
CHF 5.12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datenblatt
549Auf Lager
CHF 3.75
CHF 1.93
CHF 1.75
CHF 1.52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Datenblatt
261Auf Lager
CHF 53.63
CHF 43.55
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V
Datenblatt
300Auf Lager
CHF 4.84
CHF 2.55
CHF 2.23
CHF 2.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1
Datenblatt
127Auf Lager
CHF 18.80
CHF 13.76
CHF 13.48
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Datenblatt
962Auf Lager
1’550erwartet ab 02.03.2027
CHF 8.44
CHF 5.01
CHF 5.00
CHF 4.74
CHF 4.72
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
275Auf Lager
CHF 17.86
CHF 11.88
CHF 11.12
CHF 10.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
Datenblatt
608Auf Lager
CHF 8.61
CHF 5.20
CHF 4.72
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
310Auf Lager
CHF 17.03
CHF 10.82
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
295Auf Lager
300erwartet ab 23.03.2027
CHF 27.91
CHF 21.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Datenblatt
151Auf Lager
300erwartet ab 25.11.2026
CHF 12.81
CHF 7.46
CHF 7.25
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Datenblatt
83Auf Lager
CHF 13.05
CHF 7.55
CHF 7.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
1Auf Lager
CHF 15.10
CHF 9.63
CHF 8.49
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
96Auf Lager
CHF 13.96
CHF 8.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Datenblatt
300Auf Lager
CHF 3.35
CHF 1.75
CHF 1.57
CHF 1.35
CHF 1.34
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Datenblatt
337erwartet ab 09.02.2027
CHF 9.04
CHF 5.17
CHF 4.76
CHF 4.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datenblatt
800Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
CHF 2.56
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
CHF 13.54
CHF 8.86
CHF 7.55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
CHF 9.81
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
CHF 52.87
CHF 45.93
CHF 40.44
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
CHF 2.22
CHF 1.64
CHF 1.38
CHF 1.28
CHF 1.20
Min.: 50
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube