CoolSiC™ 750-V-G1-MOSFETs

Die CoolSiC ™ 750-V-G1-MOSFETs von Infineon Technologies zeichnen sich durch ihre Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit aus.  Die CoolSiC 750-V-G1 von Infineon Technologies bietet eine flexible Gate-Ansteuerung für ein vereinfachtes, kostengünstiges Systemdesign. Die MOSFETs ermöglichen einen optimierten Wirkungsgrad und eine optimierte Leistungsdichte.

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Transistorpolung
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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230Auf Lager
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Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1’063Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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730Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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86Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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188Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240erwartet ab 29.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel