NTBLS0D8N08XTXG

onsemi
863-NTBLS0D8N08XTXG
NTBLS0D8N08XTXG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
457 A
790 uOhms
20 V
3.6 V
174 nC
- 55 C
+ 175 C
325 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 485 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: NTBLS0D8N08X
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 34 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi  PowerTrench Technologie stellt die  Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.

NTBLS0D8N08X 80 V Einkanal n-Typ MOSFET

Der onsemi NTBLS0D8N08X Einzel-n-Kanal-MOSFET von 80 V verfügt über einen niedrigen Qrr und eine weichere Freilauf-Bodydiode, um ein effizientes Energiemanagement zu gewährleisten. Der NTBLS0D8N08X von onsemi zeichnet sich außerdem durch einen extrem niedrigen RDS(on) aus, was die Leistungseffizienz insgesamt verbessert. Ihr niedriger Q g verbessert das Schaltverhalten zusätzlich. Darüber hinaus ist dieses Bauteil blei- und halogen-/BFR-frei und erfüllt die Umweltstandards.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 6.93 CHF 6.93
CHF 4.88 CHF 48.80
CHF 3.94 CHF 394.00
CHF 3.51 CHF 1’755.00
CHF 3.11 CHF 3’110.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
CHF 3.11 CHF 6’220.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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