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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT350R70GTK

Herst.- Nr.:

SGT350R70GTK

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	47 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.1 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	3.5 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	1.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	0.9 ns
Gewicht pro Stück:	300 mg

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Der STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor ist ein leistungsstarker PowerGaN-Anreicherungs-Transistor, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem maximalen Einschaltwiderstand von 350 mΩ bietet der STMicroelectronics SGT350R70GTK aufgrund der Galliumnitrid(GaN)-Technologie geringe Leitungsverluste und schnelle Schaltfunktionen. Das in einem thermisch optimierten DPAK-Format untergebrachte Bauteil unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit und eine verbesserte Wärmeableitung, geeignet für Designs mit hoher Leistungsdichte. Eine niedrige Gate-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen den Hochfrequenzbetrieb, ideal für den Einsatz in Blindleistungskompensation (PFC), Resonanzwandlern und anderen fortschrittlichen Leistungstopologien in den Bereichen Industrie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik.

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Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.

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	CHF 2.22	CHF 2.22
	CHF 1.44	CHF 14.40
	CHF 0.987	CHF 98.70
	CHF 0.79	CHF 395.00
	CHF 0.738	CHF 738.00
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† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

SGT350R70GTK

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