Nano Cap™ 650-V-GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650-V-GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs sind für anspruchsvolle Elektroniksysteme ausgelegt. Diese ICs zeichnen sich durch eine Mischung aus hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad aus. Die Bauteile enthalten einen 650-V-Anreicherungs-GaN-HEMT und einen Siliziumtreiber. Die Nano Cap 650-V-GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Applikationen, die Industrieanlagen, Netzteile, Brückentopologie und Adapter umfassen.