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FGH50T65UPD

Name: onsemi FGH50T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH50T65UPD
Price: 6.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGH50T65UPD

Herst.- Nr.:

FGH50T65UPD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 650 V 100 A 240 W

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

FGH50T65UPD Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	340 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGH50T65UPD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6.390 g

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Datenblatt

FGH50T65UPD Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Tschechische Republik

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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FGH50T65UPD

Herst.: onsemi

Beschreibung: IGBTs 650 V 100 A 240 W

Technische Daten

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Produkt- und Handelskonformität

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