LMG3526R030 GaN-FET mit integriertem Treiber

Der Texas Instruments LMG3526R030 GaN-FET mit integriertem Treiber wird mit Schutzfunktionen geliefert, zielt auf Schaltmodus-Leistungswandler ab und ermöglicht Designern, eine neue Leistungsdichte und einen neuen Wirkungsgrad zu erreichen. Der LMG3526R030 verfügt über einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 150 V/ns ermöglicht. Die integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung von TI führt zu einem höheren Schalt-SOA als bei diskreten Silizium-Gate-Treibern. Diese Integration, kombiniert mit dem Low-Induktanz-Paket von TI, liefert sauberes Schalten und minimales Ringen in hart schaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Treiberstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsrate von 20 V/ns bis 150 V/ns, was zur aktiven Kontrolle der EMI und zur Optimierung der Schaltleistung genutzt werden kann.