Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

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Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER Vorlaufzeit 19 Wochen
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: 2’500

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
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: 2’000

Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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Infineon Technologies Gate-Treiber ISOLATED DRIVER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’000
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: 1’000

Infineon Technologies Gate-Treiber 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 1’000

Infineon Technologies Gate-Treiber 600V 3-Phase,0.375A OCP, Enable, & FAULT Vorlaufzeit 46 Wochen
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: 1’000

Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 45 Wochen
Min.: 2’000
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Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
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Infineon Technologies 2ED300C17-ST ROHS
Infineon Technologies Gate-Treiber HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
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