650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt.  Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datenblatt
132Auf Lager
CHF 13.86
CHF 11.57
CHF 8.06
CHF 7.97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2’500Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.36
CHF 6.94
Reel
CHF 6.94
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2’480Auf Lager
Cut-Tape
CHF 7.32
CHF 5.03
Reel
CHF 5.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2’493Auf Lager
Cut-Tape
CHF 6.07
CHF 4.11
CHF 3.92
Reel
CHF 3.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2’500Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.82
CHF 2.88
Reel
CHF 2.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Datenblatt
27Auf Lager
CHF 9.73
CHF 7.30
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Datenblatt
31Auf Lager
CHF 8.47
CHF 6.40
CHF 6.08
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Datenblatt
61Auf Lager
CHF 7.41
CHF 5.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Datenblatt
14Auf Lager
30erwartet ab 04.12.2026
CHF 9.11
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datenblatt
28Auf Lager
CHF 26.06
CHF 18.90
CHF 14.63
CHF 14.37
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datenblatt
41Auf Lager
CHF 13.86
CHF 11.57
CHF 7.97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datenblatt
12Auf Lager
60erwartet ab 19.10.2026
CHF 16.00
CHF 13.71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Datenblatt
2Auf Lager
CHF 8.31
CHF 6.51
CHF 5.70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Datenblatt
67Auf Lager
CHF 10.17
CHF 5.82
CHF 5.39
CHF 5.04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Datenblatt
92Auf Lager
CHF 10.93
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Datenblatt
32Auf Lager
CHF 6.47
CHF 4.26
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Datenblatt
189Auf Lager
CHF 8.47
CHF 6.65
CHF 6.08
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Datenblatt
15Auf Lager
CHF 6.22
CHF 3.64
CHF 2.94
CHF 2.70
CHF 2.56
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Datenblatt
25Auf Lager
CHF 5.88
CHF 3.75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Datenblatt
19Auf Lager
CHF 6.04
CHF 3.14
CHF 3.00
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Datenblatt
40Auf Lager
CHF 4.97
CHF 3.38
CHF 3.00
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Datenblatt
210erwartet ab 15.01.2027
CHF 7.37
CHF 3.94
CHF 3.63
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
CHF 8.30
CHF 5.87
CHF 4.89
CHF 4.35
CHF 4.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
CHF 6.47
CHF 4.56
CHF 3.69
CHF 3.28
CHF 2.90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement