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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Datenblatt
245Auf Lager
CHF 6.68
CHF 3.89
CHF 3.88
CHF 3.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
Datenblatt
276Auf Lager
CHF 4.89
CHF 2.78
CHF 2.31
CHF 2.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Datenblatt
392Auf Lager
CHF 4.36
CHF 2.46
CHF 2.03
CHF 1.90
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Datenblatt
92Auf Lager
450erwartet ab 29.12.2026
CHF 8.85
CHF 5.83
CHF 4.40
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Datenblatt
101Auf Lager
CHF 4.38
CHF 2.47
CHF 2.04
CHF 1.91
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
Datenblatt
31Auf Lager
90erwartet ab 14.12.2026
CHF 5.33
CHF 3.05
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Datenblatt
450Auf Lager
CHF 4.08
CHF 2.68
CHF 1.99
CHF 1.53
CHF 1.47
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube