NDSH20120C

onsemi
863-NDSH20120C
NDSH20120C

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.38 V
119 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120C
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 214 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.

NDSH20120C Siliziumkarbid (SiC)-Dioden

onsemi NDSH20120C Siliziumkarbid(SiC)-Dioden bieten im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die NDSH20120C von onsemi bietet keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhter Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten.

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