GaN FETs – Mouser Liechtenstein

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650-V-Leistungstransistoren verfügen über die hocheffiziente GaN(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich bis 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Modus-Konzept mit hohen End-to-End-Produktionsvolumina zur Reife. Diese wegweisende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet die zuverlässigste Leistung. Die CoolGaN™ Gen 2 650-V-Anreicherungsmodus-Leistungstransistoren verbessern Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schnellem Schalten.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Ergebnisse: 12

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Technologie
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 10.24 5’028Auf Lager 3’600erwartet ab 12.11.2026 Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLT65R025D2AUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLT65R025D2AUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	5’028Auf Lager 3’600erwartet ab 12.11.2026	Cut-Tape CHF 10.24 CHF 5.80 CHF 5.72 CHF 5.66 CHF 4.86 Reel CHF 4.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 3.14 4’511Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLR65R140D2XUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLR65R140D2XUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	4’511Auf Lager	Cut-Tape CHF 3.14 CHF 2.06 CHF 1.44 CHF 1.18 CHF 1.13 Reel CHF 1.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 5’000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 2.31 4’815Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLR65R200D2XUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLR65R200D2XUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	4’815Auf Lager	Cut-Tape CHF 2.31 CHF 1.50 CHF 1.03 CHF 0.829 Anzeigen Reel CHF 0.658 CHF 0.774 CHF 0.76 CHF 0.658	Min.: 1 Mult.: 1 : 5’000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 2.01 4’699Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLR65R270D2XUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLR65R270D2XUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	4’699Auf Lager	Cut-Tape CHF 2.01 CHF 1.29 CHF 0.885 CHF 0.705 Reel CHF 0.548 Anzeigen CHF 0.641 CHF 0.632 CHF 0.545	Min.: 1 Mult.: 1 : 5’000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.86 1’601Auf Lager 1’800erwartet ab 04.02.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLT65R035D2ATMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLT65R035D2ATMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	1’601Auf Lager 1’800erwartet ab 04.02.2027	Cut-Tape CHF 8.86 CHF 5.07 CHF 4.81 CHF 4.54 CHF 3.93 Reel CHF 3.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.90 862Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLT65R045D2ATMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLT65R045D2ATMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	862Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.90 CHF 3.75 CHF 3.44 CHF 3.39 CHF 2.96 Reel CHF 2.87 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.78 Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLT65R055D2ATMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLT65R055D2ATMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	Vorlaufzeit 26 Wochen	Cut-Tape CHF 5.78 CHF 3.43 CHF 2.96 CHF 2.71 CHF 2.33 Reel CHF 2.33 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: CHF 3.80 1’218Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGLT65R110D2ATMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGLT65R110D2ATMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	1’218Auf Lager	Cut-Tape CHF 3.80 CHF 2.51 CHF 1.78 CHF 1.53 Reel CHF 1.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 10.73 582Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGOT65R025D2AUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGOT65R025D2AUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	582Auf Lager	Cut-Tape CHF 10.73 CHF 7.20 CHF 6.66 CHF 5.78 Reel CHF 5.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.88 457Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGOT65R035D2AUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGOT65R035D2AUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	457Auf Lager	Cut-Tape CHF 8.88 CHF 4.94 CHF 4.72 CHF 4.01 Reel CHF 4.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 7.10 2’028Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGOT65R045D2AUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGOT65R045D2AUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	2’028Auf Lager	Cut-Tape CHF 7.10 CHF 3.88 CHF 3.47 Reel CHF 3.07 CHF 3.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.93 583Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. IGOT65R055D2AUMA1 Mouser-Teilenr. 726-IGOT65R055D2AUMA Neues Produkt	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Datenblatt	583Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.93 CHF 3.18 CHF 2.91 CHF 2.35 Reel CHF 2.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN

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