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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 9.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-GAN041-650WSBQ

Herst.- Nr.:

GAN041-650WSBQ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Datenblatt:

GAN041-650WSBQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	SOT-429-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	187 W
Kanalmodus:	Enhancement
Technologie:	GaN
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934661752127
Gewicht pro Stück:	123 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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GAN041-650WSBQ

Herst.: Nexperia

Beschreibung: GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Technische Daten

Dokumente (3)

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