R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs sind 600-V-n-Kanal-MOSFETs, die für Schaltapplikationen ausgelegt sind. Der R60xxKNZ4 bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Die R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs von ROHM sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar, das eine einfache Parallelschaltung ermöglicht.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’680Auf Lager
CHF 7.15
CHF 3.81
CHF 3.59
CHF 3.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’156Auf Lager
CHF 5.86
CHF 3.40
CHF 3.14
CHF 3.12
CHF 2.92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
Datenblatt
560Auf Lager
CHF 8.26
CHF 4.75
CHF 4.66
CHF 4.38
CHF 4.10
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube