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SIS176LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS176LDN-T1-GE3
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIS176LDN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIS176LDN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

Datenblatt:

SIS176LDN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	70 V
Id - Drain-Gleichstrom:	42.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	12.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	SIS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Technical Resources

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.

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Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) nutzen die TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie. Die SIS176LDN MOSFETs verfügen über eine sehr niedrige R_DS Q_g -Gütezahl (FOM) und sind auf den niedrigsten R_DS Q_oss -FOM abgestimmt. Die 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von Vishay / Siliconix eignen sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und Motorantriebsschalter-Applikationen.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.67	CHF 1.67
	CHF 1.03	CHF 10.30
	CHF 0.676	CHF 67.60
	CHF 0.532	CHF 266.00
	CHF 0.455	CHF 455.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.412	CHF 1’236.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

SIS176LDN-T1-GE3

Herst.: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

Technische Daten

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