IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs

Die IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen modernste Verarbeitungstechnologien, um einen extrem geringen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil zusammen mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign und der Sperrschichtbetriebstemperaturen von 175°, für die die HEXFET® Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Konstrukteur ein hochwirksames und verlässliches Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC 71’535Auf Lager
9’600erwartet ab 28.01.2027
Cut-Tape
CHF 2.33
CHF 1.51
CHF 1.03
CHF 0.837
Reel
CHF 0.782
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl 2’756Auf Lager
2’400erwartet ab 02.12.2026
Cut-Tape
CHF 1.89
CHF 0.973
CHF 0.829
CHF 0.656
Reel
CHF 0.569
CHF 0.558
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
32’600erwartet ab 07.01.2027
CHF 2.04
CHF 1.30
CHF 0.885
CHF 0.756
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube