SiC-C3M-MOSFETs

Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
Datenblatt
2’442Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.77
CHF 2.70
CHF 2.33
CHF 1.94
Reel
CHF 1.77
CHF 1.54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
1’590Auf Lager
900erwartet ab 07.12.2026
CHF 4.90
CHF 2.96
CHF 2.33
CHF 1.96
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
Datenblatt
271Auf Lager
CHF 4.31
CHF 2.19
CHF 1.98
CHF 1.68
CHF 1.60
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-3PF-3 1 Channel 1700 V 4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mO, 650V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
39Auf Lager
900erwartet ab 11.12.2026
CHF 7.73
CHF 4.17
CHF 3.84
CHF 3.70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
2’640erwartet ab 20.11.2026
CHF 15.50
CHF 9.08
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
860Auf Bestellung
CHF 30.88
CHF 19.78
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 222 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
449erwartet ab 23.11.2026
CHF 11.41
CHF 6.39
CHF 6.38
CHF 6.12
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 28.12.2026
CHF 32.27
CHF 26.34
CHF 23.26
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial
Datenblatt
450Auf Bestellung
CHF 30.88
CHF 19.78
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
600Auf Bestellung
CHF 11.41
CHF 6.39
CHF 6.12
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement