UCC5870QDWJRQ1

UCC5870-Q1 IGBT-/SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Der UCC5870-Q1 IGBT-/SiC-MOSFET-Gate-Treiber von Texas Instruments ist ein mit der funktionalen Sicherheit konformer, isolierter, hochkonfigurierbarer Gate-Treiber, der zur Ansteuerung von Hochleistungs-SiC-MOSFETS und -IGBTs in EV-/HEV-Applikationen ausgelegt ist. Leistungstransistor-Schutzfunktionen, wie z. B. ein Querwiderstand, der auf der Überstrom-, NTC-basierten Übertemperatur- und DESAT-Erkennung basiert, einschließlich wählbares Soft-Abschalten oder zweistufiges Abschalten während dieser Fehler. Um die Applikationsgröße weiter zu reduzieren, integriert der UCC5870-Q1 von Texas Instruments eine aktive Miller-Klemme von 4 A während des Schaltens und ein aktives Gate-Pull-Down, während der Treiber ausgeschaltet wird. Ein integrierter 10-Bit-ADC ermöglicht die Überwachung von bis zu sechs analogen Eingängen und der Temperatur des Gate-Treibers für ein verbessertes Systemmanagement. Diagnose- und Erkennungsfunktionen sind integriert, um das Design von ASIL-konformen Systemen zu vereinfachen. Die Parameter und Schwellenwerte für diese Funktionen sind über die SPI-Schnittstelle konfigurierbar, wodurch das Bauteil mit nahezu jedem SiC-MOSFET oder IGBT verwendet werden kann.