NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Inverting, Non-Inverting
Anzahl der Treiber: 1 Driver
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Ausgangsstrom: 4 A
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 5 V
Versorgungsspannung - Min.: 3.3 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NCV57001F IGBT-Gate-Treiber

Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Dieser Gate-Treiber verfügt über komplementäre Eingänge, Open-Drain-FAULT- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz und Sanftabschaltung bei DESAT. Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Dieser Gate-Treiber bietet eine galvanische Trennung von >5kVrms (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 VIORM -fähig (Betriebsspannung). Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Netzteile, HEV/EV-Antriebsstrang, BSG-Wechselrichter und Thermistoren mit positivem Temperaturkoeffizient (PTC).

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