NVB190N65S3F

onsemi
863-NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 13 ns
Serie: SuperFET3
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFET

Der onsemi SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFET mit 190 mΩ eignet sich hervorragend für verschiedene Leistungssysteme für die Miniaturisierung und einen hohen Wirkungsgrad. Das Bauteil nutzt die Ladungsausgleichstechnologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrigere Gate-Ladungsleistung. Die Technologie ist zur Reduzierung der Leitungsverluste ausgelegt, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ist gegen eine extreme dv/dt-Rate beständig. Die SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFETs mit 190 mΩ eignen sich hervorragend für On-Board-Fahrzeug-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in Hybrid-Elektrofahrzeugen.

Auf Lager: 1’505

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Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 4.39 CHF 4.39
CHF 2.28 CHF 22.80
CHF 2.09 CHF 209.00
CHF 1.82 CHF 910.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
CHF 1.75 CHF 1’400.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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