SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-MOSFETs nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Die MOSFETs enthalten einen zusätzlichen Pin, der die Treiber- und Stromwuellen-Pins trennt, wodurch die Auswirkungen der Induktivitätskomponente bei der Reduzierung von Vgs eliminiert und schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewährleistet werden. Die Trench-Typ-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen hohen Spannungswiderstand, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung.

Ergebnisse: 8
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 496Auf Lager
Cut-Tape
CHF 30.93
CHF 24.65
CHF 23.74
Reel
CHF 23.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC 978Auf Lager
Cut-Tape
CHF 29.54
CHF 23.51
CHF 22.46
Reel
CHF 22.46
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2’763Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.67
CHF 6.21
CHF 6.13
CHF 5.76
Reel
CHF 5.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1’757Auf Lager
Cut-Tape
CHF 15.90
CHF 10.46
CHF 9.89
Reel
CHF 9.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1’719Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.93
CHF 6.10
CHF 5.88
Reel
CHF 5.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855Auf Lager
Cut-Tape
CHF 13.17
CHF 8.16
CHF 7.78
CHF 7.57
Reel
CHF 7.57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766Auf Lager
Cut-Tape
CHF 13.63
CHF 8.79
CHF 8.32
Reel
CHF 8.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 369Auf Lager
Cut-Tape
CHF 17.03
CHF 11.24
CHF 10.43
Reel
CHF 10.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement