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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 12 A 235 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 107 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 28.1A(Id), (4.5V Drive)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 30V 80A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel 1 Channel 60 V 1.5 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 30V 7A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56.8 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel