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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 10.51 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBL045N065SC1

Herst.- Nr.:

NTBL045N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 650V

Datenblatt:

NTBL045N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	73 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	105 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	348 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	NTBL045N065SC1
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

NTBL045N065SC1 Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

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NTBL045N065SC1

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Beschreibung: SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 650V

Technische Daten

Dokumente (4)

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