HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Ergebnisse: 719
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
IXYS MOSFETs TO252 N-CH 55V 90A 190Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds 89Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.44 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
4’693Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
9’024Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
9’082Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
1’768erwartet ab 15.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
4’620Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
2’639Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
375erwartet ab 04.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
191erwartet ab 09.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 18A
2’073Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 26A
900erwartet ab 08.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
330erwartet ab 11.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
278erwartet ab 10.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
300erwartet ab 22.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
298erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
350erwartet ab 02.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 80A
300erwartet ab 27.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
280erwartet ab 23.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
272erwartet ab 01.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
282erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
592Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
142erwartet ab 30.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube