HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Datenblatt
704Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 90 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 14A
Datenblatt
172Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Datenblatt
165Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Datenblatt
201Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 42A N-CH TRENCH
Datenblatt
124Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 1KV 4A N-CH POLAR
Datenblatt
407Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.1 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
Datenblatt
278Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Datenblatt
256Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Datenblatt
507Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 120V 140A N-CH TRENCH
Datenblatt
365Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 14A
Datenblatt
130Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Datenblatt
116Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 40V
Datenblatt
280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 5 Amps 1000V
Datenblatt
319Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
273Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V/90A X3-Class HiPerFET
Datenblatt
269Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 130Amps 200V
Datenblatt
215Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
817Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27.4 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube