HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
286Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
Datenblatt
584Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
Datenblatt
551Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
Datenblatt
599Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
Datenblatt
535Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 30A
Datenblatt
3’692Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
Datenblatt
5’100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
Datenblatt
526Auf Lager
2’175erwartet ab 15.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Datenblatt
620Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
Datenblatt
1’244Auf Lager
1’140erwartet ab 28.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
Datenblatt
2’803Auf Lager
180erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Datenblatt
1’497Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
520Auf Lager
1’900Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
Datenblatt
4’152Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
Datenblatt
707Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 4 Amps 1000V
Datenblatt
788Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
472Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
529Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
274Auf Lager
25erwartet ab 15.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 132 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
460Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 60 Amps 800V 0.14 Rds
Datenblatt
81Auf Lager
300erwartet ab 25.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 60 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
Datenblatt
2’533Auf Lager
5’010Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 12 Amps 1000V
Datenblatt
645Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube