166 MHz 512 Mbit Halbleiter

Arten von Halbleitern

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
GigaDevice GD25F512MFBIRY
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 4’800
Mult.: 4’800

GigaDevice GD25F512MFFIRR
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

GigaDevice GD25F512MFYIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

GigaDevice GD25LB512ME3IRR
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GigaDevice GD25LF512MFBIRR
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

GigaDevice GD25LF512MFYIGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht auf Lager
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

Macronix MX25U51245GBFI0A-TR
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 512Mbit x4 I/O WLCSP-68 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI NOR-Flash 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 4’000
Mult.: 4’000
: 4’000

ISSI NOR-Flash 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin. T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000