LSIC1MO SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus

IXYS SiC-MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Datenblatt
548Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Datenblatt
1’786Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement

IXYS SiC-MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Datenblatt
652Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement