MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
530Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
848Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
1’125Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
75Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
189Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Datenblatt
1’140erwartet ab 02.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
1’620erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
252erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel