128 M x 16 Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’090
Mult.: 2’090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2’090
Mult.: 2’090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’090
Mult.: 2’090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4’000
Mult.: 4’000
: 4’000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4’000
Mult.: 4’000
: 4’000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit