S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Qualifikation: AEC-Q100
Verpackung ab Werk: 676
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: HYPERRAM
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2,0 Speicher

Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM ™ 2,0 Speicher hat eine hohe Geschwindigkeit, einen niedrigen Pin-Count, einen selbst-aktualisierenden Dynamic RAM (DRAM), für hochleistungsfähige eingebettete Systeme, die eine Erweiterung Speicher für   Scratchpad- oder Pufferzwecke erfordern.  HYPERRAM Produkte unterstützen JEDEC JESD251 Profil   konforme HYPERBUS™ und Octal xSPI-Schnittstellen, die   auf die Legacy-Funktionen von parallelen und Serielle Schnittstelle zurückgreifen und gleichzeitig die Systemleistung   und das einfache Design verbessern, während die Systemkosten gesenkt werden.   Die Architektur mit einer niedrigen Pin-Anzahl macht das HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platine, die externes RAMaußerhalb des Chips erfordern.

Auf Lager: 501

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501 sofort lieferbar
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CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 12.43 CHF 12.43
CHF 11.53 CHF 115.30
CHF 11.18 CHF 279.50
CHF 10.91 CHF 545.50
CHF 10.64 CHF 1’064.00
CHF 10.17 CHF 2’542.50
CHF 9.68 CHF 6’543.68

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