S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices are 2.7V to 3.6V or 1.65V to 3.6V VIO Volt Non-volatile Memory. The S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices use 65nm MIRRORBIT™ technology. Featuring the Eclipse™ architecture with a Page Programming Buffer, 256Mb S25FLxS FL-S NOR allows users to program up to 256-words. This results in more effective programming and erasing than prior generation SPI programs or erased algorithms. The devices connect to a host system via an SPI and support traditional SPI single bit serial input and output.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’400
Mult.: 2’400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’400
Mult.: 2’400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’400
Mult.: 2’400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1’230
Mult.: 1’230

SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash 256-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’380
Mult.: 3’380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASHMEM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1’200
Mult.: 1’200

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray