+ 125 C Reel SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM IND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM EXT 2’173Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM IND 2’750Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’300

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 4k, 3.0V EERAM IND 2’164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’300

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync,128K x 32,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 47Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

4 Mbit 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V 175 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

4 Mbit 10 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM IND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3’300
Mult.: 3’300
: 3’300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel