Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter

08.12.2026

- Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.

Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia MJPEx Bipolare Sperrschichttransistoren (BJTs)

08.26.2025

- Das CFP15B-Gehäuse bietet eine kompakte und kostengünstige Alternative zur Baureihe MJD im DPAK-Gehäuse.

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET

08.19.2025

- 30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Nexperia Siliciumcarbid(SiC)-SCHOTTKY-Dioden PSC20120x

06.02.2025

- Entwickelt für Leistungsumwandlungsapplikationen mit extrem hoher Leistungsfähigkeit, geringem Verlust und hohem Wirkungsgrad.

Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 200 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 200 V 1-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1001-1 SMA-Gehäuse eingekapselt.

Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 2-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1002-1 SMB-Gehäuse eingekapselt.

Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter

05.02.2025

- 600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.02.2025

- 100 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia GS5MB Wiederherstellungsgleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 5 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.

Nexperia US3M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

Nexperia FR2JA Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung

04.28.2025

- 600 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia US1M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia GS10M Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 10 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

Nexperia FR2M Gleichrichter mit schneller Recovery

04.28.2025

- 1.000 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.

Nexperia GS8M Wiederherstellungsgleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 8 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

Nexperia US1J Ultraschneller Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode

10.05.2026

- Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray

10.01.2026

- Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD

Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie

09.22.2026

- Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.

IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09.22.2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung

09.15.2026

- Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09.14.2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode

09.10.2026

- Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.

Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

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