Neueste Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker

12.11.2025

- Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11.24.2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode

11.18.2025

- Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.

ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler

11.18.2025

- Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11.03.2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09.26.2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs

08.19.2025

- Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.

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Filtern nach:

STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotional Boards

07.30.2026

- Promotional boards for the L9965C-L/L99BM2C-L to monitor current, charge, and isolation.

STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotional Boards

07.30.2026

- These promotional boards integrate the L9965T or L99BM2T BMS transceiver in a BMS system.

STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotional Boards

07.30.2026

- Provides the user with a platform to evaluate the L9965P/L99BM2P devices in a QFN package.

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

07.30.2026

- Designed to replace a single device and its external resistor bias network.

Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board

07.30.2026

- Explore high-voltage packages with CoolSiC™ and CoolMOS™ for efficient, reliable power performance.

STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards

07.30.2026

- Promotional boards for the L9965A/L99BM218 devices in battery management systems.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07.30.2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

NXP Semiconductors TJA1046 Dual High-Speed CAN Transceivers

07.30.2026

- Dual high-speed CAN transceivers with Standby mode and CAN FD support.

Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters

07.29.2026

- Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.

STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board

07.28.2026

- Manages low-voltage power distribution in vehicles by consolidating connections in a compact design.

STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU

07.28.2026

- Based on the SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU and STi2Fuse devices.

STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver

07.28.2026

- Designed to drive eight configurable channels in half-bridge or four channels in full-bridge mode.

Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board

07.27.2026

- Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.

Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)

07.27.2026

- 700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.

Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs

07.27.2026

- Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.

Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit

07.27.2026

- Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.

Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards

07.27.2026

- Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.

Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board

07.27.2026

- Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.

Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield

07.27.2026

- Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.

Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board

07.27.2026

- Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.

STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board

07.27.2026

- Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.

Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board

07.27.2026

- Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.

Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board

07.27.2026

- Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.

Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP

07.27.2026

- A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.

Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC

07.27.2026

- Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.

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